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FGA50N100BNTD2

FGA50N100BNTD2

참조 용

부품 번호 FGA50N100BNTD2
PNEDA 부품 번호 FGA50N100BNTD2
설명 IGBT 1000V 50A 156W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 5,382
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA50N100BNTD2 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA50N100BNTD2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA50N100BNTD2, FGA50N100BNTD2 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 455.63 KB)
PDFFGA50N100BNTD2 데이터 시트 표지
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FGA50N100BNTD2 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT and Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1000V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 60A
전력-최대156W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지257nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C34ns/243ns
테스트 조건600V, 60A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)75ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

350A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 44A

전력-최대

330W

에너지 전환

1.3mJ (on), 1.05mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

138nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/155ns

테스트 조건

480V, 44A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

56A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

전력-최대

190W

에너지 전환

400µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/143ns

테스트 조건

360V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

IRG4BC15UD-S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

42A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

전력-최대

49W

에너지 전환

240µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/160ns

테스트 조건

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGW75M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

468W

에너지 전환

690µJ (on), 2.54mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

47ns/125ns

테스트 조건

400V, 75A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

165ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGW35NB60S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

840µJ (on), 7.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

83nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

92ns/1.1µs

테스트 조건

480V, 20A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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