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STGW35NB60S

STGW35NB60S

참조 용

부품 번호 STGW35NB60S
PNEDA 부품 번호 STGW35NB60S
설명 IGBT 600V 70A 200W TO247
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,934
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
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STGW35NB60S 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGW35NB60S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGW35NB60S, STGW35NB60S 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 268.9 KB)
PDFSTGW35NB60S 데이터 시트 표지
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STGW35NB60S 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)250A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 20A
전력-최대200W
에너지 전환840µJ (on), 7.4mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지83nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C92ns/1.1µs
테스트 조건480V, 20A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 3A

전력-최대

33W

에너지 전환

85µJ (on), 245µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

10.8nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

480V, 3A, 82Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252AA

IXBL64N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

116A

전류-수집기 펄스 (Icm)

750A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

전력-최대

500W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

400nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

160ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUSi5-Pak™

공급자 장치 패키지

ISOPLUSi5-Pak™

NGTB30N60L2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 30A

전력-최대

225W

에너지 전환

310µJ (on), 1.14mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

166nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/390ns

테스트 조건

300V, 30A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/90ns

테스트 조건

400V, 30A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

FGA25N120ANDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

전력-최대

310W

에너지 전환

4.8mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/170ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

350ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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