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NGTB30N60L2WG

NGTB30N60L2WG

참조 용

부품 번호 NGTB30N60L2WG
PNEDA 부품 번호 NGTB30N60L2WG
설명 IGBT 600V 30A TO247
제조업체 ON Semiconductor
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NGTB30N60L2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB30N60L2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB30N60L2WG, NGTB30N60L2WG 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 814.2 KB)
PDFNGTB30N60L2WG 데이터 시트 표지
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  • NGTB30N60L2WG Distributor

NGTB30N60L2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 30A
전력-최대225W
에너지 전환310µJ (on), 1.14mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지166nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C100ns/390ns
테스트 조건300V, 30A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)70ns
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

관심을 가질만한 제품

FGH75T65SHD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

455W

에너지 전환

2.4mJ (on), 720µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

123nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/80ns

테스트 조건

400V, 75A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

43.4ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

APT50GT120B2RG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

94A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전력-최대

625W

에너지 전환

2330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

340nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/230ns

테스트 조건

800V, 50A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

-

FGP30N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

108A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/40ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IGW40N65F5FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

74A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

255W

에너지 전환

360µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/160ns

테스트 조건

400V, 20A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™, GenX3™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 40A

전력-최대

300W

에너지 전환

830µJ (on), 650µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

66nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/110ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

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