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FP25R12W2T4BOMA1

FP25R12W2T4BOMA1

참조 용

부품 번호 FP25R12W2T4BOMA1
PNEDA 부품 번호 FP25R12W2T4BOMA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 40A
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $52.1727
100 ---------- $49.7271
250 ---------- $47.2815
500 ---------- $44.8359
750 ---------- $42.7979
1,000 ---------- $40.7599
재고 있음 3,109
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예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FP25R12W2T4BOMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP25R12W2T4BOMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FP25R12W2T4BOMA1, FP25R12W2T4BOMA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 841.5 KB)
PDFFP25R12W2T4BOMA1 데이터 시트 표지
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FP25R12W2T4BOMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)39A
전력-최대175W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.45nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SP3

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Global Power Technologies Group

시리즈

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IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1595W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

IRG5K15FF06Z

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전력-최대

140W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

EZIRPACK 1™ Module

공급자 장치 패키지

EZIRPACK 1™

CM600HB-24A

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

3670W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

105nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-70MT060WSP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

96A

전력-최대

378W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.43nF @ 30V

입력

Single Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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