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FS200R07N3E4RB11BOSA1

FS200R07N3E4RB11BOSA1

참조 용

부품 번호 FS200R07N3E4RB11BOSA1
PNEDA 부품 번호 FS200R07N3E4RB11BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 200A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,704
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS200R07N3E4RB11BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS200R07N3E4RB11BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FS200R07N3E4RB11BOSA1, FS200R07N3E4RB11BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 718.24 KB)
PDFFS200R07N3E4RB11BOSA1 데이터 시트 표지
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FS200R07N3E4RB11BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)200A
전력-최대600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce13nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전력-최대

140W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전력-최대

105W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS100R17N3E4BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

135A

전력-최대

568W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

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