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FW907-TL-E

FW907-TL-E

참조 용

부품 번호 FW907-TL-E
PNEDA 부품 번호 FW907-TL-E
설명 MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,408
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FW907-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FW907-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FW907-TL-E, FW907-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 433.43 KB)
PDFFW907-TL-E 데이터 시트 표지
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FW907-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A, 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1000pF @ 10V
전력-최대2.5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 34A (Tc), 13.8A (Ta), 52A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V, 7.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V, 20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 15V, 1300pF @ 15V

전력-최대

1.9W (Ta), 22W (Tc), 2.1W (Ta), 30W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (5x6)

2N7002DWQ-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

230mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

310mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SOT-363

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 16V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SP8M5FU6TB

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.1nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 10V

전력-최대

490mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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