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2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F

참조 용

부품 번호 2N7002DWQ-7-F
PNEDA 부품 번호 2N7002DWQ-7-F
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
제조업체 Diodes Incorporated
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2N7002DWQ-7-F 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002DWQ-7-F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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2N7002DWQ-7-F 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)230mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
전력-최대310mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

808pF @ 25V

전력-최대

38W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

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FET 유형

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 10V

전력-최대

54W

작동 온도

175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

20-HSOP

ZXMP3A16DN8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1022pF @ 15V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

DMN62D0UDW-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

32pF @ 30V

전력-최대

320mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

NVMFD5C470NT1G

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.7A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 25V

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