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IPG20N06S3L-23

IPG20N06S3L-23

참조 용

부품 번호 IPG20N06S3L-23
PNEDA 부품 번호 IPG20N06S3L-23
설명 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,642
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPG20N06S3L-23 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPG20N06S3L-23
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IPG20N06S3L-23, IPG20N06S3L-23 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 163.24 KB)
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  • IPG20N06S3L-23 Price
  • IPG20N06S3L-23 Distributor

IPG20N06S3L-23 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs23mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs42nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2950pF @ 25V
전력-최대45W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지PG-TDSON-8-4

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

969pF @ 30V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

TMC1340-SO

Trinamic Motion Control GmbH

제조업체

Trinamic Motion Control GmbH

시리즈

-

FET 유형

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A, 4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

960pF @ 25V

전력-최대

1.38W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMC3060LVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DMC2400UV-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.03A, 700mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

37.1pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

US6M1TR

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A, 1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

70pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

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