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GBU6G

GBU6G

참조 용

부품 번호 GBU6G
PNEDA 부품 번호 GBU6G_156
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A GBU
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가
1 ---------- $8.3565
100 ---------- $7.9648
250 ---------- $7.5731
500 ---------- $7.1814
750 ---------- $6.8549
1,000 ---------- $6.5285
재고 있음 5,201
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GBU6G 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GBU6G
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
GBU6G, GBU6G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 1,374.42 KB)
PDFGBU6G 데이터 시트 표지
GBU6G 데이터 시트 페이지 2 GBU6G 데이터 시트 페이지 3

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GBU6G 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 6A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, GBU
공급자 장치 패키지GBU

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전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 12.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBJ

공급자 장치 패키지

GBJ

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시리즈

-

다이오드 유형

Three Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 50A

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

KBU6B

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBU

공급자 장치 패키지

KBU

GBU6J

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

공급자 장치 패키지

GBU

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