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GD25Q20COIGR

GD25Q20COIGR

참조 용

부품 번호 GD25Q20COIGR
PNEDA 부품 번호 GD25Q20COIGR
설명 NOR FLASH
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
단가 견적 요청
재고 있음 6,678
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 22 - 3월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GD25Q20COIGR 리소스

브랜드 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GD25Q20COIGR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
GD25Q20COIGR, GD25Q20COIGR 데이터 시트 (총 페이지: 28, 크기: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR 데이터 시트 표지
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GD25Q20COIGR 사양

제조업체GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs, 2.4ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

CY7C1381D-100BZIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

W978H6KBQX2I

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-WFBGA

공급자 장치 패키지

168-WFBGA (12x12)

AT24C128BW-SH-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

550ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT29F256G08CKCABH2-12Z:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-TBGA

공급자 장치 패키지

100-TBGA (12x18)

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