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GMM3X60-015X2-SMD

GMM3X60-015X2-SMD

참조 용

부품 번호 GMM3X60-015X2-SMD
PNEDA 부품 번호 GMM3X60-015X2-SMD
설명 MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GMM3X60-015X2-SMD 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GMM3X60-015X2-SMD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GMM3X60-015X2-SMD, GMM3X60-015X2-SMD 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 293.45 KB)
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GMM3X60-015X2-SMD 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs97nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5800pF @ 25V
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스ISOPLUS-DIL™
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2297pF @ 25V

전력-최대

53W

작동 온도

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.6W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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2 N-Channel (Dual)

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Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

486pF @ 10V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

41mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

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