HS2D R5G
참조 용
| 부품 번호 | HS2D R5G |
| PNEDA 부품 번호 | HS2D-R5G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,570 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 5 - 11월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HS2D R5G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HS2D R5G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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HS2D R5G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 2A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 2A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 50ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AA, SMB |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AA (SMB) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 800mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 800mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 T-18, Axial 공급자 장치 패키지 TS-1 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
