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HUFA76407DK8T

HUFA76407DK8T

참조 용

부품 번호 HUFA76407DK8T
PNEDA 부품 번호 HUFA76407DK8T
설명 MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $11.2006
100 ---------- $10.6756
250 ---------- $10.1506
500 ---------- $9.6256
750 ---------- $9.1880
1,000 ---------- $8.7505
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HUFA76407DK8T 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HUFA76407DK8T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
HUFA76407DK8T, HUFA76407DK8T 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 263.15 KB)
PDFHUFA76407DK8T 데이터 시트 표지
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  • HUFA76407DK8T Distributor

HUFA76407DK8T 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈UltraFET™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds330pF @ 25V
전력-최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

256pF @ 15V

전력-최대

485mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN2020D-6

DMN2004VK-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

EM6K31T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15pF @ 25V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

EMT6

DMN62D0UDW-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

32pF @ 30V

전력-최대

320mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

NDC7003P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

340mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 340mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

66pF @ 25V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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