IMW120R060M1HXKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IMW120R060M1HXKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IMW120R060M1HXKSA1 |
| 설명 | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,806 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IMW120R060M1HXKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IMW120R060M1HXKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IMW120R060M1HXKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolSiC™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1.2kV |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 36A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V, 18V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5.7V @ 5.6mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 31nC @ 18V |
| Vgs (최대) | +23V, -7V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1.06nF @ 800V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 150W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO247-3-41 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20.9A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 49.1nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3062pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.6W (Ta), 150W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerDI5060-8 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
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