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IRFH4253DTRPBF

IRFH4253DTRPBF

참조 용

부품 번호 IRFH4253DTRPBF
PNEDA 부품 번호 IRFH4253DTRPBF
설명 MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 28,980
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFH4253DTRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFH4253DTRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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IRFH4253DTRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)64A, 145A
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 35µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1314pF @ 13V
전력-최대31W, 50W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지PQFN (5x6)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V, 1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

518pF @ 15V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

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Micro Commercial Co

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Micro Commercial Co

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 10V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN2020-6U

SIX3439K-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

750mA, 660mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF, 170pF @ 16V

전력-최대

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

SH8M5TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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제조업체

Diodes Incorporated

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A, 4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

604pF @ 20V

전력-최대

1.8W

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