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IRFP17N50LPBF

IRFP17N50LPBF

참조 용

부품 번호 IRFP17N50LPBF
PNEDA 부품 번호 IRFP17N50LPBF
설명 MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
제조업체 Vishay Siliconix
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예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFP17N50LPBF 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFP17N50LPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRFP17N50LPBF, IRFP17N50LPBF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 184.22 KB)
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IRFP17N50LPBF 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs320mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs130nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2760pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)220W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247-3
패키지 / 케이스TO-247-3

관심을 가질만한 제품

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ CE

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 130µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

280pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

37W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RSF010P03TL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.9nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TUMT3

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

IRF9510L

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

740pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1970pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

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NSR0320MW2T1G

NSR0320MW2T1G

ON Semiconductor

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AD8250ARMZ

AD8250ARMZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP

S2G-13-F

S2G-13-F

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DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

SI4836DY-T1-E3

SI4836DY-T1-E3

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L6374FP

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