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IRG7T150CL12B

IRG7T150CL12B

참조 용

부품 번호 IRG7T150CL12B
PNEDA 부품 번호 IRG7T150CL12B
설명 MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,004
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG7T150CL12B 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG7T150CL12B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
IRG7T150CL12B, IRG7T150CL12B 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 805.82 KB)
PDFIRG7T150CL12B 데이터 시트 표지
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  • IRG7T150CL12B Price
  • IRG7T150CL12B Distributor

IRG7T150CL12B 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)300A
전력-최대910W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce20.2nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지POWIR® 62

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Powerex Inc.

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IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1470W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

94nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB200TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

209A

전력-최대

781W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.84V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

APTGLQ100A65T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

43A

전력-최대

150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

2.1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

VS-GB50LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

446W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.29nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

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