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IRGS4607DPBF

IRGS4607DPBF

참조 용

부품 번호 IRGS4607DPBF
PNEDA 부품 번호 IRGS4607DPBF
설명 IGBT 600V 11A 58W D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,626
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRGS4607DPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGS4607DPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRGS4607DPBF, IRGS4607DPBF 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 843.38 KB)
PDFIRGR4607DTRPBF 데이터 시트 표지
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  • IRGS4607DPBF Distributor

IRGS4607DPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)11A
전류-수집기 펄스 (Icm)12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 4A
전력-최대58W
에너지 전환140µJ (on), 62µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지9nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C27ns/120ns
테스트 조건400V, 4A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)48ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1350V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 30A

전력-최대

394W

에너지 전환

850µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

234nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/250ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGWA40H120F2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

468W

에너지 전환

1mJ (on), 1.32mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

158nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/152ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

FGB20N6S2D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

125W

에너지 전환

25µJ (on), 58µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

7.7ns/87ns

테스트 조건

390V, 7A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

FGH30N60LSDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

전력-최대

480W

에너지 전환

1.1mJ (on), 21mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/250ns

테스트 조건

400V, 30A, 6.8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

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150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5.5V @ 2.5V, 150A

전력-최대

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에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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