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STGD10HF60KD

STGD10HF60KD

참조 용

부품 번호 STGD10HF60KD
PNEDA 부품 번호 STGD10HF60KD
설명 IGBT 600V 10A DPAK
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STGD10HF60KD 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGD10HF60KD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGD10HF60KD, STGD10HF60KD 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 754.4 KB)
PDFSTGD10HF60KD 데이터 시트 표지
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STGD10HF60KD 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)18A
전류-수집기 펄스 (Icm)30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.75V @ 15V, 5A
전력-최대62.5W
에너지 전환45µJ (on), 105µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C9.5ns/87ns
테스트 조건400V, 5A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)50ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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ON Semiconductor

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전력-최대

298W

에너지 전환

320µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/165ns

테스트 조건

960V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

제조업체

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시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

380A

전류-수집기 펄스 (Icm)

900A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

전력-최대

1630W

에너지 전환

2.85mJ (on), 2.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

315nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

48ns/160ns

테스트 조건

360V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXXK)

IRG4BC20KD-STRR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

340µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

54ns/180ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG7CH46UEF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

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1.8mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

448nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/220ns

테스트 조건

400V, 80A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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