IRL510STRR
참조 용
| 부품 번호 | IRL510STRR |
| PNEDA 부품 번호 | IRL510STRR |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,750 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRL510STRR 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRL510STRR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IRL510STRR 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.6A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 250pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Ta), 330A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 0.82mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 143nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8862pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 167W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 640mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 450pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 740mW (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92-3 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 175mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 38W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 18.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 75nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2600pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.75W (Ta), 150W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
