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IRLR7811WCPBF

IRLR7811WCPBF

참조 용

부품 번호 IRLR7811WCPBF
PNEDA 부품 번호 IRLR7811WCPBF
설명 MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
제조업체 Infineon Technologies
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IRLR7811WCPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLR7811WCPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRLR7811WCPBF, IRLR7811WCPBF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 207.28 KB)
PDFIRLR7811WCTRLP 데이터 시트 표지
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  • IRLR7811WCPBF Distributor

IRLR7811WCPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs31nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2260pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)71W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

660mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 660mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

430pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223-4

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

DMP1245UFCL-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26.1nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1357.4pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

613mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

X1-DFN1616-6 (Type E)

패키지 / 케이스

6-PowerUFDFN

BSC050N03MSGATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta), 80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3600pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-5

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IXTP6N50D2

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500mOhm @ 3A, 0V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2800pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

38mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

185nC @ 15V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4220pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.12W (Ta), 250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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