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IS61WV5128BLL-10BI

IS61WV5128BLL-10BI

참조 용

부품 번호 IS61WV5128BLL-10BI
PNEDA 부품 번호 IS61WV5128BLL-10BI
설명 IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 5,022
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 28 - 2월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS61WV5128BLL-10BI 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS61WV5128BLL-10BI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS61WV5128BLL-10BI, IS61WV5128BLL-10BI 데이터 시트 (총 페이지: 25, 크기: 545.11 KB)
PDFIS61WV5128BLS-25TLI-TR 데이터 시트 표지
IS61WV5128BLS-25TLI-TR 데이터 시트 페이지 2 IS61WV5128BLS-25TLI-TR 데이터 시트 페이지 3 IS61WV5128BLS-25TLI-TR 데이터 시트 페이지 4 IS61WV5128BLS-25TLI-TR 데이터 시트 페이지 5 IS61WV5128BLS-25TLI-TR 데이터 시트 페이지 6 IS61WV5128BLS-25TLI-TR 데이터 시트 페이지 7 IS61WV5128BLS-25TLI-TR 데이터 시트 페이지 8 IS61WV5128BLS-25TLI-TR 데이터 시트 페이지 9 IS61WV5128BLS-25TLI-TR 데이터 시트 페이지 10 IS61WV5128BLS-25TLI-TR 데이터 시트 페이지 11

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  • IS61WV5128BLL-10BI Distributor

IS61WV5128BLL-10BI 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ns
접근 시간10ns
전압-공급2.4V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스36-TFBGA
공급자 장치 패키지36-TFBGA (6x8)

관심을 가질만한 제품

CY7C1380D-250AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2.6ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

IS42S16320B-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

54-WBGA (11x13)

S29GL128S10WEI029

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Wafer

CY15B256Q-SXAT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AT27LV512A-90JI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

90ns

전압-공급

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

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