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IXA55I1200HJ

IXA55I1200HJ

참조 용

부품 번호 IXA55I1200HJ
PNEDA 부품 번호 IXA55I1200HJ
설명 IGBT 1200V 84A 290W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,154
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXA55I1200HJ 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXA55I1200HJ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXA55I1200HJ, IXA55I1200HJ 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 113.55 KB)
PDFIXA55I1200HJ 데이터 시트 표지
IXA55I1200HJ 데이터 시트 페이지 2 IXA55I1200HJ 데이터 시트 페이지 3 IXA55I1200HJ 데이터 시트 페이지 4 IXA55I1200HJ 데이터 시트 페이지 5

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IXA55I1200HJ 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)84A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전력-최대290W
에너지 전환4.5mJ (on), 5.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지190nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건600V, 50A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOPLUS247™
공급자 장치 패키지ISOPLUS247™

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Infineon Technologies

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 15A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 32A

전력-최대

300W

에너지 전환

2.6mJ (on), 9.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/385ns

테스트 조건

800V, 32A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

400W

에너지 전환

380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

138nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/115ns

테스트 조건

480V, 40A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

FGA25N120ANTDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 50A

전력-최대

312W

에너지 전환

4.1mJ (on), 960µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/190ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

350ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

NGTB20N60L2TF1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 20A

전력-최대

64W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/193ns

테스트 조건

300V, 20A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PF-3

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