Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

IXFH6N100F

IXFH6N100F

참조 용

부품 번호 IXFH6N100F
PNEDA 부품 번호 IXFH6N100F
설명 MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
제조업체 IXYS-RF
단가 견적 요청
재고 있음 3,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 26 - 5월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFH6N100F 리소스

브랜드 IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFH6N100F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFH6N100F, IXFH6N100F 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 107.43 KB)
PDFIXFH6N100F 데이터 시트 표지
IXFH6N100F 데이터 시트 페이지 2

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • IXFH6N100F Datasheet
  • where to find IXFH6N100F
  • IXYS-RF

  • IXYS-RF IXFH6N100F
  • IXFH6N100F PDF Datasheet
  • IXFH6N100F Stock

  • IXFH6N100F Pinout
  • Datasheet IXFH6N100F
  • IXFH6N100F Supplier

  • IXYS-RF Distributor
  • IXFH6N100F Price
  • IXFH6N100F Distributor

IXFH6N100F 사양

제조업체IXYS-RF
시리즈HiPerRF™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs54nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1770pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)180W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247 (IXFH)
패키지 / 케이스TO-247-3

관심을 가질만한 제품

CSD25301W1015

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-DSBGA (1x1.5)

패키지 / 케이스

6-UFBGA, DSBGA

IRF6662TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.3A (Ta), 47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.9V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1360pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MZ

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MZ

NTTFS4823NTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.1A (Ta), 50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1013pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

660mW (Ta), 32.9W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

NVMFD6H852NLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta), 25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 26µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

521pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 38W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IXTQ88N30P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

PolarHT™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

88A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

600W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

최근 판매

MCP2551-I/SN

MCP2551-I/SN

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

MAX811MEUS+T

MAX811MEUS+T

Maxim Integrated

IC VOLT MON W/RESET SOT143-4

BNX022-01L

BNX022-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

BSS123

BSS123

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

FSA3157P6X

FSA3157P6X

ON Semiconductor

IC SWITCH MULTIMEDIA SC70-6

LTC3418EUHF#PBF

LTC3418EUHF#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 8A 38QFN

NC7SZ08P5X

NC7SZ08P5X

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

RB521S30T5G

RB521S30T5G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523

MPC9448ACR2

MPC9448ACR2

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:12 350MHZ 32TQFP

MCP4921-E/SN

MCP4921-E/SN

Microchip Technology

IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC

CBC3225T220KR

CBC3225T220KR

Taiyo Yuden

FIXED IND 22UH 780MA 351 MOHM

FODM121AR2

FODM121AR2

ON Semiconductor

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD