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IXTR210P10T

IXTR210P10T

참조 용

부품 번호 IXTR210P10T
PNEDA 부품 번호 IXTR210P10T
설명 MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,698
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTR210P10T 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTR210P10T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTR210P10T, IXTR210P10T 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 198.44 KB)
PDFIXTR210P10T 데이터 시트 표지
IXTR210P10T 데이터 시트 페이지 2 IXTR210P10T 데이터 시트 페이지 3 IXTR210P10T 데이터 시트 페이지 4 IXTR210P10T 데이터 시트 페이지 5 IXTR210P10T 데이터 시트 페이지 6

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IXTR210P10T 사양

제조업체IXYS
시리즈TrenchP™
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs740nC @ 10V
Vgs (최대)±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds69500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)595W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지ISOPLUS247™
패키지 / 케이스TO-247-3

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Renesas Electronics America

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

133nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7730pF @ 25V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

1.5W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13650pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

429W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-HPSOF

패키지 / 케이스

8-PowerSFN

RQ6E050AJTCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

950mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TSMT6 (SC-95)

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

NDS351N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

140pF @ 10V

FET 기능

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500mW (Ta)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

65pF @ 25V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

1W (Tc)

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