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IXYA20N65C3D1

IXYA20N65C3D1

참조 용

부품 번호 IXYA20N65C3D1
PNEDA 부품 번호 IXYA20N65C3D1
설명 IGBT
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYA20N65C3D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYA20N65C3D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYA20N65C3D1, IXYA20N65C3D1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 242.63 KB)
PDFIXYA20N65C3D1 데이터 시트 표지
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IXYA20N65C3D1 사양

제조업체IXYS
시리즈XPT™, GenX3™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
전력-최대200W
에너지 전환430µJ (on), 650µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/80ns
테스트 조건400V, 20A, 20Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)34ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AA

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

전력-최대

300W

에너지 전환

360µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/140ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

465ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG4BC30K

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

58A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

전력-최대

100W

에너지 전환

360µJ (on), 510µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

67nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/130ns

테스트 조건

480V, 16A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

APT40GP60SG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

543W

에너지 전환

385µJ (on), 352µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/64ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

D3 [S]

NGB8206N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

390V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/5µs

테스트 조건

300V, 9A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

IXYS

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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에너지 전환

1.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/110ns

테스트 조건

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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