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NGB8206N

NGB8206N

참조 용

부품 번호 NGB8206N
PNEDA 부품 번호 NGB8206N
설명 IGBT 390V 20A 150W D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,832
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGB8206N 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGB8206N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGB8206N, NGB8206N 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 118.71 KB)
PDFNGB8206NTF4G 데이터 시트 표지
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  • NGB8206N Distributor

NGB8206N 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)390V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 4.5V, 20A
전력-최대150W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/5µs
테스트 조건300V, 9A, 1kOhm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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ON Semiconductor

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

36A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 12V, 14A

전력-최대

83W

에너지 전환

38µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.3nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

4.3ns/36ns

테스트 조건

400V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IRG7S313UTRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 60A

전력-최대

78W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

33nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1ns/65ns

테스트 조건

196V, 12A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG4PH50S-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

57A

전류-수집기 펄스 (Icm)

114A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 33A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

167nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/845ns

테스트 조건

960V, 33A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

FGA40N65SMD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

349W

에너지 전환

820µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

119nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/92ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

NGB8206NT4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

390V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/5µs

테스트 조건

300V, 9A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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