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NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG

참조 용

부품 번호 NGTG35N65FL2WG
PNEDA 부품 번호 NGTG35N65FL2WG
설명 IGBT 650V 60A 167W TO247
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTG35N65FL2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTG35N65FL2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTG35N65FL2WG, NGTG35N65FL2WG 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 82.15 KB)
PDFNGTG35N65FL2WG 데이터 시트 표지
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  • NGTG35N65FL2WG Distributor

NGTG35N65FL2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 35A
전력-최대300W
에너지 전환840µJ (on), 280µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지125nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C72ns/132ns
테스트 조건400V, 35A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

전력-최대

100W

에너지 전환

600µJ (on), 580µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

67nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/160ns

테스트 조건

480V, 16A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG7PK42UD1PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NGTB40N120FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

535W

에너지 전환

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

313nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

116ns/286ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

240ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

FGP3440G2-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

26.9A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.2V @ 4V, 6A

전력-최대

166W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1µs/5.3µs

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

APT50GN60BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

107A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 50A

전력-최대

366W

에너지 전환

1185µJ (on), 1565µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

325nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/230ns

테스트 조건

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

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