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KSB1022TU

KSB1022TU

참조 용

부품 번호 KSB1022TU
PNEDA 부품 번호 KSB1022TU
설명 TRANS PNP DARL 60V 7A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,498
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

KSB1022TU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KSB1022TU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
KSB1022TU, KSB1022TU 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 47.7 KB)
PDFKSB1022TU 데이터 시트 표지
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KSB1022TU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2V @ 14mA, 7A
전류-수집기 차단 (최대)100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce2000 @ 3A, 3V
전력-최대2W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220F

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

130MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

MPS6601RLRAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MJD243G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V

전력-최대

1.4W

주파수-전환

40MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

ZXTP26020DMFTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.25A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

235mV @ 62.5mA, 1.25A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

235 @ 500mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-UDFN

공급자 장치 패키지

3-DFN1411 (1.4x1.1)

TIP112G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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