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MBR3100VPTR-E1

MBR3100VPTR-E1

참조 용

부품 번호 MBR3100VPTR-E1
PNEDA 부품 번호 MBR3100VPTR-E1
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO27
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 4,410
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예상 배송 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBR3100VPTR-E1 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBR3100VPTR-E1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBR3100VPTR-E1, MBR3100VPTR-E1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 300.9 KB)
PDFMBR3100VRTR-E1 데이터 시트 표지
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  • MBR3100VPTR-E1 Distributor

MBR3100VPTR-E1 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If850mV @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-201AA, DO-27, Axial
공급자 장치 패키지DO-27
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 1mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 20V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

80A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 80A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

190ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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Toshiba Semiconductor and Storage

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

980mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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