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MMRF1004GNR1

MMRF1004GNR1

참조 용

부품 번호 MMRF1004GNR1
PNEDA 부품 번호 MMRF1004GNR1
설명 FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,824
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1004GNR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1004GNR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1004GNR1, MMRF1004GNR1 데이터 시트 (총 페이지: 27, 크기: 959.68 KB)
PDFMMRF1004GNR1 데이터 시트 표지
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MMRF1004GNR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득15.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트130mA
전원-출력10W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-270BA
공급자 장치 패키지TO-270-2 GULL

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제조업체

ON Semiconductor

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N-Channel JFET

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이득

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전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PTFA192401FV4XWSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

16dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

600MHz ~ 700MHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

750W

전압-정격

104V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

275-101N30A-00

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

DE

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

30A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

550W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DE275

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

4W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

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