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MMRF1306HR5

MMRF1306HR5

참조 용

부품 번호 MMRF1306HR5
PNEDA 부품 번호 MMRF1306HR5
설명 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,446
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1306HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1306HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1306HR5, MMRF1306HR5 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 475.66 KB)
PDFMMRF1306HSR5 데이터 시트 표지
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MMRF1306HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득24dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력1250W
전압-정격133V
패키지 / 케이스SOT-979A
공급자 장치 패키지NI-1230-4H

관심을 가질만한 제품

PXFC192207SHV1R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

18.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-360

공급자 장치 패키지

NI-360

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.45GHz

이득

13.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

180W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

ARF443

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

PTFA071701FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

765MHz

이득

18.7dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37248-2

최근 판매

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