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MPSH81

MPSH81

참조 용

부품 번호 MPSH81
PNEDA 부품 번호 MPSH81_105
설명 RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 6,102
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 4 - 5월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MPSH81 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MPSH81
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
MPSH81, MPSH81 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 256.03 KB)
PDFMPSH81 데이터 시트 표지
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MPSH81 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
주파수-전환600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92

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NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

이득

-

전력-최대

500mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343 Reverse Pinning

공급자 장치 패키지

4-SO

MS1087T

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BFP196WNH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

7.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB @ 900MHz

이득

9.7dB

전력-최대

700mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz

이득

-

전력-최대

400mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 40mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

MT3S16U(TE85L,F)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V

주파수-전환

4GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2.4dB @ 1GHz

이득

4.5dBi

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60mA

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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