MRF6S19100HR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF6S19100HR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6S19100HR3 |
| 설명 | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,230 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6S19100HR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6S19100HR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6S19100HR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.99GHz |
| 이득 | 16.1dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 900mA |
| 전원-출력 | 22W |
| 전압-정격 | 68V |
| 패키지 / 케이스 | SOT-957A |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780H-2L |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 108MHz 이득 28dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 350W 전압-정격 135V 패키지 / 케이스 SOT-1121B 공급자 장치 패키지 LDMOST |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 136MHz ~ 941MHz 이득 - 전압-테스트 10.8V 전류 정격 (Amps) 2µA 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 6.8W 전압-정격 30V 패키지 / 케이스 16-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 16-DFN (4x6) |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 E-pHEMT 주파수 2GHz 이득 15dB 전압-테스트 4.5V 전류 정격 (Amps) 1A 소음 수치 1dB 현재-테스트 280mA 전원-출력 29dBm 전압-정격 7V 패키지 / 케이스 8-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-LPCC (2x2) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 81.36MHz 이득 15dB 전압-테스트 125V 전류 정격 (Amps) 9A 소음 수치 - 현재-테스트 50mA 전원-출력 100W 전압-정격 500V 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247 |
