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MRF6V12250HR3

MRF6V12250HR3

참조 용

부품 번호 MRF6V12250HR3
PNEDA 부품 번호 MRF6V12250HR3
설명 FET RF 100V 1.03GHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,448
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6V12250HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6V12250HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6V12250HR3, MRF6V12250HR3 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,320.3 KB)
PDFMRF6V12250HSR3 데이터 시트 표지
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MRF6V12250HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.03GHz
이득20.3dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력275W
전압-정격100V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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NXP USA Inc.

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LDMOS

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이득

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전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-780-2

공급자 장치 패키지

OM-780-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

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이득

20.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

35W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1223-1

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

PTFA212001EV4R0XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-36260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

BLF573,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

225MHz

이득

27.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

42A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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