MRF6V12250HSR3 데이터 시트
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NXP
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.03GHz 이득 20.3dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 275W 전압-정격 100V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.03GHz 이득 20.3dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 275W 전압-정격 100V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.03GHz 이득 20.3dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 275W 전압-정격 100V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.03GHz 이득 20.3dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 275W 전압-정격 100V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
