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MRF6V12250HSR3

MRF6V12250HSR3

참조 용

부품 번호 MRF6V12250HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF6V12250HSR3
설명 FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,390
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6V12250HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6V12250HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6V12250HSR3, MRF6V12250HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,320.3 KB)
PDFMRF6V12250HSR3 데이터 시트 표지
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MRF6V12250HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.03GHz
이득20.3dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력275W
전압-정격100V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1244C

공급자 장치 패키지

CDFM6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

960MHz

이득

19.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.4A

전원-출력

100W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

32.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1211-1

공급자 장치 패키지

16-HSOPF

BLF178XRS,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

108MHz

이득

28dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

1400W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

45MHz

이득

27dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

2.1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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