MRF6V2150NBR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF6V2150NBR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6V2150NBR5 |
| 설명 | FET RF 110V 220MHZ TO272-4 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,526 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6V2150NBR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6V2150NBR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6V2150NBR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 220MHz |
| 이득 | 25dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 450mA |
| 전원-출력 | 150W |
| 전압-정격 | 110V |
| 패키지 / 케이스 | TO-272BB |
| 공급자 장치 패키지 | TO-272 WB-4 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 40.68MHz 이득 15dB 전압-테스트 125V 전류 정격 (Amps) 14A 소음 수치 - 현재-테스트 50mA 전원-출력 - 전압-정격 500V 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247CS |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 960MHz 이득 18dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 25mA 전원-출력 37dBm 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 16-SOP (0.276", 7.00mm Width) 공급자 장치 패키지 16-PFP |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 E-pHEMT 주파수 2GHz 이득 17.7dB 전압-테스트 2.7V 전류 정격 (Amps) 100mA 소음 수치 0.6dB 현재-테스트 10mA 전원-출력 14.4dBm 전압-정격 5V 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 SOT-343 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 788.5MHz ~ 823.5MHz 이득 23dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 11A 소음 수치 - 현재-테스트 390mA 전원-출력 2.5W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1112A 공급자 장치 패키지 CDFM6 |
