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MRF7S21080HR5

MRF7S21080HR5

참조 용

부품 번호 MRF7S21080HR5
PNEDA 부품 번호 MRF7S21080HR5
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,250
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S21080HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S21080HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S21080HR5, MRF7S21080HR5 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 856.2 KB)
PDFMRF7S21080HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S21080HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트800mA
전원-출력22W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

6.5mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.62GHz ~ 2.69GHz

이득

17.4dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1MHz ~ 2.7GHz

이득

18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

5mA

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

-

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

NI-360H-2SB

공급자 장치 패키지

NI-360H-2SB

BF245B

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

100mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

28A

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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