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MRF8P26080HSR3

MRF8P26080HSR3

참조 용

부품 번호 MRF8P26080HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF8P26080HSR3
설명 FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,526
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8P26080HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8P26080HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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MRF8P26080HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.62GHz
이득15dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트300mA
전원-출력14W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S-4
공급자 장치 패키지NI-780S-4

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Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

821MHz

이득

19.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.15A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-34288-4/2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

4GHz

이득

16dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

97mA

소음 수치

0.45dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

11dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

M04

VRF151G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

주파수

175MHz

이득

16dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

36A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

300W

전압-정격

170V

패키지 / 케이스

4-SMD

공급자 장치 패키지

M208

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

700MHz ~ 1.3GHz

이득

20.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

650W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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