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MRFG35003N6T1

MRFG35003N6T1

참조 용

부품 번호 MRFG35003N6T1
PNEDA 부품 번호 MRFG35003N6T1
설명 FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $146.9553
50 ---------- $140.0667
100 ---------- $133.1782
200 ---------- $126.2897
400 ---------- $120.5492
500 ---------- $114.8088
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MRFG35003N6T1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFG35003N6T1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFG35003N6T1, MRFG35003N6T1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 159.87 KB)
PDFMRFG35003N6T1 데이터 시트 표지
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MRFG35003N6T1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수3.55GHz
이득9dB
전압-테스트6V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트180mA
전원-출력3W
전압-정격8V
패키지 / 케이스PLD-1.5
공급자 장치 패키지PLD-1.5

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

690mA

전원-출력

17W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

17.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

850mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

19W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

BLF0910H9LS600J

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

900MHz ~ 930MHz

이득

18.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

90mA

전원-출력

600W

전압-정격

108V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.16GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

38W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

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KT2520Y40000ECV28TBA

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