MRFX600HR5
참조 용
| 부품 번호 | MRFX600HR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRFX600HR5 |
| 설명 | TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,888 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRFX600HR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRFX600HR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRFX600HR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 1.8MHz ~ 400MHz |
| 이득 | 26.4dB |
| 전압-테스트 | 65V |
| 전류 정격 (Amps) | 10µA |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 100mA |
| 전원-출력 | 600W |
| 전압-정격 | 179V |
| 패키지 / 케이스 | NI780-4 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780-4 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz 이득 16.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.1A 전원-출력 125W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 960MHz ~ 1.22GHz 이득 19.6dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 1000W 전압-정격 112V 패키지 / 케이스 SOT-979A 공급자 장치 패키지 NI-1230-4H |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 800MHz 이득 - 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 40mA 소음 수치 2dB 현재-테스트 15mA 전원-출력 - 전압-정격 7V 패키지 / 케이스 TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지 SOT-143B |
