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MTM861280LBF

MTM861280LBF

참조 용

부품 번호 MTM861280LBF
PNEDA 부품 번호 MTM861280LBF
설명 MOSFET P-CH 20V 1A WSSMINI6-F1
제조업체 Panasonic Electronic Components
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MTM861280LBF 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTM861280LBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
MTM861280LBF, MTM861280LBF 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 252.97 KB)
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  • MTM861280LBF Distributor

MTM861280LBF 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs420mOhm @ 500mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds80pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)540mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지WSSMini6-F1
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-92-3

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

IRF7470TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3430pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SPI80N06S-08

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 240µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

187nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3660pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3-1

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

BSS169H6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.8nC @ 7V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

68pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 39.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

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Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3410pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

417W (Tc)

작동 온도

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IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP