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MURB820

MURB820

참조 용

부품 번호 MURB820
PNEDA 부품 번호 MURB820
설명 DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,444
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MURB820 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MURB820
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MURB820, MURB820 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 94.4 KB)
PDFMURB820TRR 데이터 시트 표지
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MURB820 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈FRED Pt®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If975mV @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.69V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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Comchip Technology

시리즈

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

2A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

160pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123T

공급자 장치 패키지

Mini SMA/SOD-123

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

1N4148WS-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

150mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

GP10-4005EHM3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

500V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 500V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

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RB162MM-40TFTR

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Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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