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N25Q128A13ESEA0F TR

N25Q128A13ESEA0F TR

참조 용

부품 번호 N25Q128A13ESEA0F TR
PNEDA 부품 번호 N25Q128A13ESEA0F-TR
설명 IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SOP2
제조업체 Micron Technology Inc.
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예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

N25Q128A13ESEA0F TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호N25Q128A13ESEA0F TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
N25Q128A13ESEA0F TR, N25Q128A13ESEA0F TR 데이터 시트 (총 페이지: 83, 크기: 1,105.52 KB)
PDFN25Q128A13ESEA0F TR 데이터 시트 표지
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N25Q128A13ESEA0F TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (32M x 4)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8ms, 5ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP2

관심을 가질만한 제품

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

SST38VF6402B-70I/TV

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST38

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

71V3578S150PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

M28W320FCB70N6F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

IDT71V3577SA85BGG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

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