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NAND02GW3B2DZA6E

NAND02GW3B2DZA6E

참조 용

부품 번호 NAND02GW3B2DZA6E
PNEDA 부품 번호 NAND02GW3B2DZA6E
설명 IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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NAND02GW3B2DZA6E 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NAND02GW3B2DZA6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NAND02GW3B2DZA6E, NAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 (총 페이지: 67, 크기: 1,815.56 KB)
PDFNAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 표지
NAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 페이지 2 NAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 페이지 3 NAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 페이지 4 NAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 페이지 5 NAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 페이지 6 NAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 페이지 7 NAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 페이지 8 NAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 페이지 9 NAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 페이지 10 NAND02GW3B2DZA6E 데이터 시트 페이지 11

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NAND02GW3B2DZA6E 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지25ns
접근 시간25ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스63-TFBGA
공급자 장치 패키지63-VFBGA (9.5x12)

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP-B

AT49BV802D-70CU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

120µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA, CSBGA

공급자 장치 패키지

48-CBGA (6x8)

GD25VQ32CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

제조업체

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 2.4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

FT24C04A-ENR-T

Fremont Micro Devices Ltd

제조업체

Fremont Micro Devices Ltd

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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