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NE85630-R25-A

NE85630-R25-A

참조 용

부품 번호 NE85630-R25-A
PNEDA 부품 번호 NE85630-R25-A
설명 RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
제조업체 CEL
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE85630-R25-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE85630-R25-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
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NE85630-R25-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
이득9dB
전력-최대150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce125 @ 7mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

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전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4.5V

주파수-전환

40GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

이득

12.5dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

이득

12dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

135 @ 20mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

3-MCP

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

4.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

9dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

BFP540E6327BTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V

주파수-전환

30GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

이득

21.5dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

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