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NTJD2152PT1G

NTJD2152PT1G

참조 용

부품 번호 NTJD2152PT1G
PNEDA 부품 번호 NTJD2152PT1G
설명 MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,868
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTJD2152PT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTJD2152PT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTJD2152PT1G, NTJD2152PT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 133.65 KB)
PDFNTJD2152PT4G 데이터 시트 표지
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NTJD2152PT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)775mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds225pF @ 8V
전력-최대270mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363

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FET 유형

-

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.05V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14.1pF @ 15V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

공급자 장치 패키지

SOT-963

FDG6332C-F085P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA (Ta), 600mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

113pF @ 10V, 114pF @ 10V

전력-최대

300mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

NTMFD4901NFT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.3A, 17.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 15V

전력-최대

1.1W, 1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

SIZ904DT-T1-GE3

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A, 16A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

435pF @ 15V

전력-최대

20W, 33W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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