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NTMFD4902NFT1G

NTMFD4902NFT1G

참조 용

부품 번호 NTMFD4902NFT1G
PNEDA 부품 번호 NTMFD4902NFT1G
설명 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
제조업체 ON Semiconductor
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NTMFD4902NFT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTMFD4902NFT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTMFD4902NFT1G, NTMFD4902NFT1G 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 157.19 KB)
PDFNTMFD4902NFT3G 데이터 시트 표지
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  • NTMFD4902NFT1G Distributor

NTMFD4902NFT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10.3A, 13.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1150pF @ 15V
전력-최대1.1W, 1.16W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-EMH

ALD210800APCL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®, Zero Threshold™

FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25Ohm

Vgs (th) (최대) @ Id

10mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

FDD8424H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A, 6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 20V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

EM6K7T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 10V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

EMT6

SI4501ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A, 4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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