NTMYS2D2N06CLTWG
참조 용
| 부품 번호 | NTMYS2D2N06CLTWG |
| PNEDA 부품 번호 | NTMYS2D2N06CLTWG |
| 설명 | TRENCH 6 40V SL NFET |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,996 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTMYS2D2N06CLTWG 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTMYS2D2N06CLTWG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NTMYS2D2N06CLTWG 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 31A (Ta), 185A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 180µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4850pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.9W (Ta), 134W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | LFPAK4 (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | SOT-1023, 4-LFPAK |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ H6 FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 56mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 639pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 350mW (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 140µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 176nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 188W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1157pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 700mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-WDFN (2x2) 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 98nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5560pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOIC 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
